薄膜生长技术是用于制备厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层的工艺体系，主要分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两类 。PVD通过真空蒸镀、溅射或脉冲激光烧蚀实现材料沉积，CVD则利用气相化学反应生成薄膜，具体包含常压、低压及等离子体增强等类型 。该技术广泛应用于半导体器件制造、光学镀膜及新能源材料领域，涉及热氧化、原子层沉积（ALD）等核心工艺 。
热氧化法通过晶圆与含氧物质高温反应生成二氧化硅膜，采用干-湿干结合方式平衡膜层质量与生长速度 。CVD工艺发展出等离子体增强（PECVD）、高密度等离子体（HDPCVD）等变体，并突破低温沉积技术以提升芯片封装良率 。近年来出现突破性技术如GOALL-Epitaxy实现镍氧化物超导薄膜原子级控制，钙钛矿单晶薄膜生长周期大幅缩短至1.5天，以及自主开发的聚酰亚胺薄膜制备技术实现超厚型产品开发 。国产设备厂商已推出涵盖ALD、CVD的薄膜沉积系统，推动半导体设备国产化进程 。
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